TrendForce指出,中國成熟製程擴產聚焦在Driver IC、CIS/ISP與Power Discrete等領域,二、三線台廠首當其衝。
Driver IC方面,主要採用HV(High Voltage)製程,各家業者近期聚焦40/28nm HV製程開發,而目前市場製程技術較領先的業者是聯電,其次是格羅方德(GlobalFoundries)。不過,中芯國際28HV、合肥晶合集成40HV將先後於今年第四季、明年下半年進入量產階段,並與其他晶圓代工業者的技術差距逐漸縮小,尤其製程能力與產能相當競爭者如力積電,或暫無12吋廠的世界先進、東部高科(DBHitek)短期內將首當其衝;對聯電、格羅方德中長期來看也將造成影響。
CIS/ISP方面,3D CIS結構包含邏輯層ISP與CIS感光層,主流製程大致以45/40nm為分水嶺,目前技術領先業者以台積電(TSMC)、聯電、三星(Samsung)為主,但中芯、合肥晶合集成緊追其後,預期後續將訂單移回中國進行投產。
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Power Discrete(功率元件)方面,主要涵蓋MOSFET與IGBT兩種產品,世界先進深耕已久,受惠於中國電動車補貼政策以及太陽能基礎建設,中國晶圓代工業者獲得更多切入機會,若中國產能同時大量開出,不僅中國本土出現價格戰,也可能分食台系業者訂單及客戶。
TrendForce認為,中國大幅擴產可能造成全球成熟製程產能過剩,價格戰將隨之而來,中國本土化生產趨勢將日漸明確,具備相似製程平台及產能的二、三線晶圓代工業者,可能面臨客戶流失風險與價格壓力,如聯電、力積電與世界先進等台系業者將首當其衝,技術進展和良率將是後續鞏固產能的決勝點。
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