SK海力士領衝 HBM3e送輝達驗證

HBM3e預計2024年上半年量產,將進一步鞏固SK海力士在AI記憶體市場的領導地位。

SK海力士指出,該公司 HBM3e不僅速度更快,容量更大、散熱更好、相容性也更強。韓媒推測,SK海力士的HBM3e,將有望搭載在NVIDIA影像處理器(GPU)GH200上。SK海力士強調,HBM3e每秒可以處理1.15TB以上的資料,相當於一秒鐘內,可以處理230多部、每部5GB大小的全高解析度電影。

SK海力士技術團隊並採用了Advanced MR-MUF2最新技術,使HBM3e的散熱性能與上一代相比,提高10%。

HBM3e還具備了向後兼容性(Backward compatibility),因此,客戶在基於HBM3組成的系統中,無需修改其設計或結構,也可以直接採用新產品。

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高頻寬記憶體(HBM)以垂直方式連結DRAM,相較既有的DRAM,能大幅提高資料處理速度及性能,最初是為影像工作而生,但隨著AI市場擴張,HBM可一次性大量處理資料的特性,為HBM帶來新的商機。

SK海力士自2013年領先業界研發HBM後,即長期主導全球HBM市場,目前在全球HBM市場中市占率約達50%。SK海力士已依序量產HBM、HBM2、HBM2e、HBM3,新一代產品HBM3e,是HBM3的擴充版本(Extended)。

NVIDIA超大規模與高效能運算副總裁Ian Buck也表示,期待SK海力士公司在HBM3e領域上持續合作。

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來源鏈接:https://www.chinatimes.com/newspapers/20230822000154-260204